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Effects of Charge Trapping on Memory Characteristics for HfO2-Based Ferroelectric Field Effect Transistors
电荷俘获对HfO2基铁电场效应晶体管存储特性的影响
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材料科学
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期刊:Nanomaterials 作者:Jianjian Wang; Jinshun Bi; Youqian Xu; Gang Niu; Mengxin Liu; et al 出版日期:2023-02-06 |
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