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 Tunable Multi‐Bit Nonvolatile Memory Based on Ferroelectric Field‐Effect Transistors 基于铁电场效应晶体管的可调多位非易失性存储器
相关领域
材料科学
非易失性存储器
铁电性
场效应晶体管
光电子学
晶体管
半导体
可扩展性
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化学
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Qing Zhang; Hao Xiong; Qiangfei Wang; Liping Xu; Menghan Deng; et al 出版日期：2021-12-28 |
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