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 Control of threshold voltage in E-mode and D-mode GaN-on-Si metal-insulator-semiconductor heterostructure field effect transistors by in-situ fluorine doping of atomic layer deposition Al2O3 gate dielectrics 原子层沉积Al2O3栅介质原位氟掺杂控制E模和D模GaN-on-Si金属——绝缘体——半导体异质结构场效应晶体管阈值电压
相关领域
材料科学
异质结
光电子学
兴奋剂
阈值电压
场效应晶体管
晶体管
原子层沉积
半导体
分析化学（期刊）
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Joseph W. Roberts; Paul R. Chalker; K. B. Lee; P.A. Houston; S. J. Cho; et al 出版日期：2016-02-15 |
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