Asymmetric Band Alignments and Remark Defect Tolerability at the Interface of Highk Dielectric Sb2O3 and 2D Semiconductor MoS2

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标题	Asymmetric Band Alignments and Remark Defect Tolerability at the Interface of Highk Dielectric Sb2O3 and 2D Semiconductor MoS2 高k介电Sb2O3和2D半导体MoS2界面的不对称能带排列和备注缺陷容限
网址	https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.4c01323.s001
DOI	10.1021/acs.jpcc.4c01323.s001 doi
其它	期刊：作者：出版日期：2024-06-13
求助人	Zzz 在 2024-12-09 15:04:51 发布自四川，悬赏 10 积分
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