标题 |
Anisotropic Charge Transport Enabling High‐Throughput and High‐Aspect‐Ratio Wet Etching of Silicon Carbide
实现碳化硅高通量和高纵横比湿法蚀刻的各向异性电荷传输
相关领域
蚀刻(微加工)
材料科学
薄脆饼
反应离子刻蚀
碳化硅
光电子学
各向同性腐蚀
干法蚀刻
纵横比(航空)
硅
纳米技术
复合材料
图层(电子)
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其它 |
期刊:Small Methods 作者:Dachuang Shi; Yun Chen; Zijian Li; Shankun Dong; Liyi Li; et al 出版日期:2022-05-26 |
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