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Fabrication and characterization of rare earth (Ce, Gd, and Y) doped ZrO2 based metal-insulator-semiconductor (MIS) type Schottky barrier diodes
稀土(Ce、Gd和Y)掺杂ZrO2基金属-绝缘体-半导体(MIS)型肖特基势垒二极管的制备与表征
相关领域
材料科学
兴奋剂
肖特基势垒
旋涂
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期刊:Superlattices and Microstructures 作者:K. Sasikumar; R. Bharathikannan; M. Raja; B. Mohanbabu 出版日期:2020-01-27 |
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