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标题
Electrical properties of low pressure chemical vapor deposited silicon nitride thin films for temperatures up to 650 °C
低压化学气相沉积氮化硅薄膜在高达650℃温度下的电性能
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1063/1.3078027
AI链接 utwente.nldoi.org
DOI
10.1063/1.3078027 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Roald M. Tiggelaar; A.W. Groenland; R. G. P. Sanders; Han Gardeniers
出版日期：2009-02-01
求助人
小沉沉 在 2024-11-25 10:16:25 发布自广东，悬赏 10 积分
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