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 Large‐Area Schottky Barrier Transistors Based on Vertically Stacked Graphene–Metal Oxide Heterostructures 基于垂直堆叠石墨烯-金属氧化物异质结构的大面积肖特基势垒晶体管
相关领域
材料科学
石墨烯
光电子学
栅极电介质
肖特基势垒
晶体管
栅氧化层
异质结
氧化物
肖特基二极管
纳米技术
电压
电气工程
二极管
工程类
冶金
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Seongchan Kim; Young Jin Choi; Yongsuk Choi; Moon Sung Kang; Jeong Ho Cho 出版日期：2017-06-14 |
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