High-Performance 4H-SiC EUV Photodiode With Lateral p-n Junction Fabricated by Selective-Area Ion Implantation

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标题	High-Performance 4H-SiC EUV Photodiode With Lateral p-n Junction Fabricated by Selective-Area Ion Implantation 选择性区域离子注入制备横向p-n结高性能4H-SiC EUV光电二极管相关领域响应度光电二极管光电流暗电流材料科学分析化学（期刊）光电子学光电探测器物理化学色谱法
网址	https://doi.org/10.1109/led.2024.3381129
DOI	10.1109/led.2024.3381129 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yifu Wang; Zhiyuan Wang; Weizong Xu; Feng Zhou; Dong Zhou; et al 出版日期：2024-03-22
求助人	tzx 在 2025-01-02 19:36:57 发布自广东，悬赏 10 积分
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