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 Optimizing Length Scalability of InGaZnO Thin‐Film Transistors through Lateral Carrier Profile Engineering and Negative ΔL Extension Structure 通过横向载流子轮廓工程和负Δ L延伸结构优化InGaZnO薄膜晶体管的长度可扩展性
相关领域
材料科学
扩展（谓词逻辑）
薄膜晶体管
可扩展性
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期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Su Hyun Kim; Mingoo Kim; Ji Hwan Lee; Kihwan Kim; Joon Seok Park; et al 出版日期：2024-06-18 |
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