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Device Performances Related to Gate Leakage Current in Al2O3/AlGaN/GaN MISHFETs
Al2O3/AlGaN/GaN MISHFET中与栅极漏电流相关的器件性能
相关领域
材料科学 光电子学 泄漏（经济） 量子隧道 分析化学（期刊） 化学 色谱法 宏观经济学 经济
网址
http://ocean.kisti.re.kr/downfile/crosscheck/ieek/JAKO201432...
DOI
10.5573/jsts.2014.14.5.601 doi
其它 期刊：JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
作者：Do-Kywn Kim; V. Sindhuri; Dong-Seok Kim; Young-Woo Jo; Hee-Sung Kang; et al
出版日期：2014-11-29
求助人
DodoWang 在 2025-01-07 15:09:06 发布自上海，悬赏 10 积分
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