Few‐layered MoS2 Based Vertical van der Waals p‐n Homojunction by Highly‐efficient N2 Plasma Implantation

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标题	Few‐layered MoS2 Based Vertical van der Waals p‐n Homojunction by Highly‐efficient N2 Plasma Implantation 高效N2等离子体注入低层MoS2基垂直范德华p-n同质结相关领域同质结材料科学光电子学微电子范德瓦尔斯力兴奋剂量子隧道纳米技术离子注入整改离子电气工程化学有机化学电压分子工程类
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202200299
DOI	10.1002/aelm.202200299 doi
其它	期刊：Advanced electronic materials 作者：Yufeng Shan; Ziwei Yin; Jiaqi Zhu; Xin Li; Wei Dou; et al 出版日期：2022-07-08
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