Miniature InGaN-based LEDs operating at a wavelength of 672 nm with an external quantum efficiency of 9.1% fabricated on a GaN template layer

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标题	Miniature InGaN-based LEDs operating at a wavelength of 672 nm with an external quantum efficiency of 9.1% fabricated on a GaN template layer 在GaN模板层上制造的工作波长为672 nm、外部量子效率为9.1%的基于InGaN的微型LED 相关领域发光二极管光电子学材料科学宽禁带半导体图层（电子）量子效率量子阱氮化镓波长纳米技术光学物理激光器
网址	https://doi.org/10.1063/5.0244781
DOI	10.1063/5.0244781 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Kun Xing; Zhengxian Jin; Hong Zeng; Zhengwei Pan; Haifeng Wang; et al 出版日期：2024-12-23
求助人	jacob258 在 2025-01-09 16:50:25 发布自江苏，悬赏 10 积分
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