| 标题 |
 Origin of instability by positive bias stress in amorphous Si-In-Zn-O thin film transistor 非晶Si-In-Zn-O薄膜晶体管正偏压不稳定性的成因
相关领域
薄膜晶体管
X射线光电子能谱
无定形固体
材料科学
分析化学（期刊）
不稳定性
薄膜
导带
带隙
晶体管
活化能
光电子学
化学
纳米技术
结晶学
电气工程
核磁共振
物理化学
物理
电压
电子
工程类
量子力学
机械
色谱法
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Do Hyung Kim; Dong Youn Yoo; Hyun Kwang Jung; Dae Hwan Kim; Sang Yeol Lee 出版日期：2011-10-24 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
爱静静
寻道图强
乐乐乐乐乐乐
Frank
kento
yyymmma
樱桃猴子
fendy
Billy
timemaster666
浅尝离白
吃不饱星球球长
万能图书馆
共享精神
shinysparrow
清脆松
tuanheqi
sissiarno
香蕉觅云
Singularity
皖公网安备34019202002308
