Side-Gated In2 O3 Nanowire Ferroelectric FETs for High-Performance Nonvolatile Memory Applications

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标题	Side-Gated In2 O3 Nanowire Ferroelectric FETs for High-Performance Nonvolatile Memory Applications 用于高性能非易失性存储器应用的侧栅In2 O3纳米线铁电场效应晶体管相关领域纳米线非易失性存储器铁电性材料科学光电子学纳米技术电介质
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdfdirect/10.1002/advs.2...
DOI	10.1002/advs.201600078 doi
其它	期刊：Advanced Science 作者：Meng Su; Zhenyu Yang; Lei Liao; Xuming Zou; Johnny C. Ho; et al 出版日期：2016-04-15
求助人	llllwwww 在 2024-10-20 20:45:53 发布自河北，悬赏 10 积分
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