Effects of thickness ratio of InGaN to GaN in superlattice strain relief layer on the optoelectrical properties of InGaN-based green LEDs grown on Si substrates

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标题	Effects of thickness ratio of InGaN to GaN in superlattice strain relief layer on the optoelectrical properties of InGaN-based green LEDs grown on Si substrates 超晶格应变消除层中InGaN与GaN厚度比对硅衬底上InGaN基绿色LED光电性能的影响相关领域材料科学发光二极管光电子学化学气相沉积超晶格电致发光宽禁带半导体量子阱二极管图层（电子）量子效率光学复合材料物理激光器
网址	https://doi.org/10.1063/1.5000134
DOI	10.1063/1.5000134 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Wei-Jing Qi; Jianli Zhang; Chunlan Mo; Wang Xiaolan; Wu Xiaoming; et al 出版日期：2017-08-24
求助人	小雕在 2024-10-31 19:40:52 发布自江苏，悬赏 10 积分
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