Huge mobility enhancement of InSnZnO thin-film transistors via Al-induced microstructure regularization

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标题	Huge mobility enhancement of InSnZnO thin-film transistors via Al-induced microstructure regularization 铝诱导正则化InSnZnO薄膜晶体管的迁移率大幅提高相关领域薄膜晶体管材料科学微观结构阈值电压无定形固体退火（玻璃）晶体管电子迁移率光电子学电压复合材料图层（电子）电气工程结晶学化学工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0072077
DOI	10.1063/5.0072077 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaolong Wang; Lingyan Liang; Hengbo Zhang; Haijuan Wu; Wanfa Li; et al 出版日期：2021-11-22
求助人	smile 在 2024-03-27 10:32:32 发布自广东，悬赏 10 积分
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