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 Huge mobility enhancement of InSnZnO thin-film transistors via Al-induced microstructure regularization 铝诱导正则化InSnZnO薄膜晶体管的迁移率大幅提高
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
微观结构
阈值电压
无定形固体
退火（玻璃）
晶体管
电子迁移率
光电子学
电压
复合材料
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电气工程
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化学
工程类
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaolong Wang; Lingyan Liang; Hengbo Zhang; Haijuan Wu; Wanfa Li; et al 出版日期：2021-11-22 |
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