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 A novel negative quantum capacitance field-effect transistor with molybdenum disulfide integrated gate stack and steep subthreshold swing for ultra-low power applications 一种用于超低功耗应用的具有二硫化钼集成栅叠和陡亚阈值摆幅的新型负量子电容场效应晶体管
相关领域
二硫化钼
阈下传导
电容
材料科学
晶体管
光电子学
场效应晶体管
摇摆
逻辑门
功率（物理）
堆栈（抽象数据类型）
电气工程
物理
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期刊：Science China Information Sciences 作者：Liang Chen; Huimin Wang; Qianqian Huang; Ru Huang 出版日期：2023-05-18 |
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