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 High-mobility field-effect transistors based on transition metal dichalcogenides 基于过渡金属二硫族化物的高迁移率场效应晶体管
相关领域
双极扩散
场效应晶体管
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材料科学
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期刊：Applied physics letters 作者：Vitaly Podzorov; M. E. Gershenson; Ch. Kloc; Roswitha Zeis; E. Bücher 出版日期：2004-04-26 |
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