Study and Reduction of the Surface Pits in 4H-SiC Epitaxial Wafer

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标题	Study and Reduction of the Surface Pits in 4H-SiC Epitaxial Wafer 4H-SiC外延晶片表面凹坑的研究与减少相关领域薄脆饼外延材料科学光电子学硅碳化硅复合材料图层（电子）
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S00220...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？ AI识别 10.1016/j.jcrysgro.2023.127156 doi
求助人	独特山芙在 2024-07-26 11:08:45 发布自浙江，悬赏 10 积分
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