Investigation of SiGe/Si heterojunction inductive line tunneling TFET with source Schottky contact for prospect ultra-low power applications

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标题	Investigation of SiGe/Si heterojunction inductive line tunneling TFET with source Schottky contact for prospect ultra-low power applications SiGe/Si异质结源肖特基接触线隧穿TFET的超低功耗研究相关领域材料科学光电子学异质结肖特基势垒量子隧道共发射极离子注入肖特基二极管离子纳米技术物理二极管量子力学
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/ad1d7a
DOI	10.1088/1361-6528/ad1d7a doi
求助人	小枝在 2024-05-17 19:36:22 发布自福建，悬赏 10 积分
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