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 Properties of a-Si:H Film Deposited by Amplitude-Modulated RF Plasma Chemical Vapour Deposition for Thin Film Transistor 调幅射频等离子体化学气相沉积薄膜晶体管用a-Si：H薄膜的性能
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Takahiro Nakahigashi; T. Hayashi; Yoshihiro Izumi; Masanao Kobayashi; Hajime Kuwahara; et al 出版日期：1997-01-01 |
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