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 Vertical ferroelectric thin-film transistor array with a 10-nm gate length for high-density three-dimensional memory applications 用于高密度三维存储的10nm栅长垂直铁电薄膜晶体管阵列
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期刊：Applied physics letters 作者：Ik‐Jyae Kim; Minkyu Kim; Jang‐Sik Lee 出版日期：2022-07-25 |
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