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标题
Comparison of a 3.3 kV SiC Hybrid-Channel Trench MOSFET and a Planar MOSFET
3.3 kV SiC混合沟道沟槽MOSFET与平面MOSFET的比较
相关领域
MOSFET 平面的 功率MOSFET 材料科学 沟槽 碳化硅 拓扑（电路） 击穿电压 频道（广播） 制作 电压 光电子学 功率（物理） 电气工程 阈值电压 计算机科学 物理 工程类 纳米技术 晶体管 量子力学 复合材料 医学 计算机图形学（图像） 替代医学 图层（电子） 病理
网址
https://doi.org/10.1109/wipdaeurope55971.2022.9936559
DOI
10.1109/wipdaeurope55971.2022.9936559 doi
其它 期刊：
作者：Luyang Zhang; Tianxiang Dai; Peter Michael Gammon; V. A. Shah; Philip Mawby; et al
出版日期：2022-09-18
求助人
阳光的夏槐 在 2025-04-28 21:49:29 发布自上海，悬赏 10 积分
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