p-Type High-Performance WSi2N4 MOSFETs with the Ultrashort Scale of Sub-5 nm

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标题	p-Type High-Performance WSi2N4 MOSFETs with the Ultrashort Scale of Sub-5 nm 超短尺度小于5 nm的p型高性能WSi2N4 MOSFET 相关领域材料科学高-κ电介质光电子学晶体管 MOSFET 电介质场效应晶体管金属浇口半导体兴奋剂阈下斜率离子阈下摆动栅极电介质栅氧化层电气工程物理电压工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01216
DOI	10.1021/acsaelm.3c01216 doi
其它	期刊：ACS applied electronic materials 作者：Xianghe Liu; Yuliang Mao 出版日期：2023-12-06
求助人	天真咖啡豆在 2025-04-19 10:45:47 发布自江苏，悬赏 10 积分
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