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  Enhanced electrical performance in graphene field-effect transistors through post-annealing of high-k HfLaO gate dielectrics 通过高k HfLaO栅极电介质的后退火提高石墨烯场效应晶体管的电性能
相关领域
材料科学
石墨烯
退火（玻璃）
电介质
光电子学
场效应晶体管
晶体管
栅极电介质
工程物理
纳米技术
复合材料
电气工程
电压
工程类
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| 其它 |
期刊：APL Materials 作者：Chunlin Liu; Xuesong Li; L. X. Qian; Jing Tian; Xiping Zhang 出版日期：2024-08-01 |
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