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 Oxygen vacancy management enables uniform and robust TaO x memristor through TiO x buffer 氧空位管理通过TiO x缓冲器实现均匀且稳健的TaO x忆阻器
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Qiang Lv; Changchang Wang; Dongxue Liu; Liqian Wu; Jiajun Guo; et al 出版日期：2025-11-14 |
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