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 The Invariance of Characteristic Current Densities in Nanoscale MOSFETs and Its Impact on Algorithmic Design Methodologies and Design Porting of Si(Ge) (Bi)CMOS High-Speed Building Blocks 纳米MOSFETs特性电流密度的不变性及其对Si（Ge）（Bi）CMOS高速模块算法设计方法和设计移植的影响
相关领域
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期刊：IEEE Journal of Solid-state Circuits 作者：T.O. Dickson; K.H.K. Yau; T. Chalvatzis; A.M. Mangan; E. Laskin; et al 出版日期：2006-08-01 |
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