Micro-LED Pixel Circuit Using Low-Temperature Poly-Si Oxide TFTs With Fast Rise and Fall Times of Pulse Width Modulation for Low Gray Expression

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标题	Micro-LED Pixel Circuit Using Low-Temperature Poly-Si Oxide TFTs With Fast Rise and Fall Times of Pulse Width Modulation for Low Gray Expression 采用低温多晶硅氧化物TFT的微LED像素电路，具有快速的脉宽调制上升和下降时间以实现低灰度表达相关领域像素脉冲宽度调制符号材料科学算法数学物理拓扑（电路）电压算术光学量子力学组合数学
网址	https://doi.org/10.1109/led.2023.3299958
DOI	10.1109/led.2023.3299958 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Jun-Yeong Kim; Heonbang Lee; Myeonggi Jeong; Jinbaek Bae; Chanju Park; et al 出版日期：2023-09-01
求助人	M1ku 在 2023-10-24 14:37:00 发布自江苏，悬赏 10 积分
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