标题 |
Approaching Theoretical Limits in the Performance of Printed P-Type CuI Transistors via Room Temperature Vacancy Engineering
利用室温空位工程研究印刷P型CuI晶体管性能的理论极限
相关领域
材料科学
晶体管
薄膜晶体管
光电子学
空位缺陷
铟
电子迁移率
电介质
纳米技术
凝聚态物理
图层(电子)
电气工程
电压
工程类
物理
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