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标题
Nanoscale vacuum channel transistors fabricated on silicon carbide wafers
在碳化硅晶片上制作的纳米级真空沟道晶体管
相关领域
制作 薄膜晶体管 应变硅 场效应晶体管 绝缘体上的硅
网址
https://doi.org/10.1038/s41928-019-0289-z
DOI
10.1038/s41928-019-0289-z doi
其它 期刊：Nature electronics
作者：Jin-Woo Han; Myeong-Lok Seol; Dong-Il Moon; Gary W. Hunter; M. Meyyappan
出版日期：2019-09-01
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pxy 在 2025-02-26 15:19:26 发布自北京，悬赏 10 积分
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