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 Monolayer WSi2N4 : A promising channel material for sub-5-nm-gate homogeneous CMOS devices 单层WSi2N4：一种很有前途的亚5 nm栅极均匀CMOS器件沟道材料
相关领域
类型（生物学）
物理
CMOS芯片
材料科学
光电子学
生态学
生物
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| 其它 |
期刊：Physical review applied 作者：英根 李; Chao Qi; Xun Zhou; Lin Xu; Qiuhui Li; et al 出版日期：2023-12-26 |
| 求助人 | |
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