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 Nitrogen doping of 3C-SiC thin films grown by CVD in a resistively heated horizontal hot-wall reactor 电阻加热水平热壁反应器CVD生长3C-SiC薄膜的氮掺杂
相关领域
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Marcin Zieliński; Marc Portail; Thierry Chassagne; Sandrine Juillaguet; Hervé Peyre 出版日期：2008-03-17 |
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