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Overcoming the Unfavorable Effects of “Boltzmann Tyranny:” Ultra‐Low Subthreshold Swing in Organic Phototransistors via One‐Transistor‐One‐Memristor Architecture
克服“玻尔兹曼暴政”的不利影响:通过单晶体管-单忆阻器结构实现有机光电晶体管的超低亚阈值摆动
相关领域
记忆电阻器
材料科学
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期刊:Advanced Materials 作者:Shuyuan Yang; Jiangyan Yuan; Zhaofeng Wang; Xianshuo Wu; Xianfeng Shen; et al 出版日期:2024-02-28 |
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