标题 |
Sustained Sub-60 mV/decade switching via the negative capacitance effect in MoS2 transistors
通过MoS2晶体管中的负电容效应持续低于60 mV/decade开关
相关领域
电容
阈值电压
电压
阈下斜率
逻辑门
MOSFET
异质结
栅极电介质
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DOI | |
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期刊:Nano Letters 作者:Felicia McGuire; Yuh-Chen Lin; Katherine Price; G. Bruce Rayner; Sourabh Khandelwal; et al 出版日期:2017-07-12 |
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