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 An improved design for e-mode AlGaN/GaN HEMT with gate stack β-Ga2O3/p-GaN structure 栅叠层β-Ga2O3/p-GaN结构e型AlGaN/GaN HEMT的改进设计
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Mei Ge; Yi Li; Youhua Zhu; Dunjun Chen; Zhiliang Wang; et al 出版日期：2021-07-15 |
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