标题 |
Nonconventional Strain Engineering for Uniform Biaxial Tensile Strain in MoS2 Thin Film Transistors
MoS2薄膜晶体管均匀双轴拉伸应变的非常规应变工程
相关领域
应变工程
材料科学
化学气相沉积
晶体管
拉伤
基质(水族馆)
半导体
金属有机气相外延
极限抗拉强度
光电子学
图层(电子)
纳米技术
复合材料
硅
电气工程
外延
电压
工程类
地质学
内科学
海洋学
医学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:ACS Nano 作者:Hyeong Cheol Shin; Ajit K. Katiyar; Anh Tuan Hoang; Seok‐Min Yun; B. Kim; et al 出版日期:2024-01-26 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|