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 Hydrogen Diffusion and Threshold Voltage Shifts in Top-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors 顶栅非晶InGaZnO薄膜晶体管中的氢扩散和阈值电压漂移
相关领域
薄膜晶体管
阈值电压
材料科学
光电子学
晶体管
无定形固体
氢
电介质
兴奋剂
栅极电介质
扩散
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hong-Chih Chen; Jianjie Chen; Kuan‐Ju Zhou; Guan-Fu Chen; Chang‐Hung Kuo; et al 出版日期：2020-08-01 |
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