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22nm STT-MRAM for Reflow and Automotive Uses with High Yield, Reliability, and Magnetic Immunity and with Performance and Shielding Options
22纳米STT-MRAM，用于回流焊和汽车用途，具有高成品率、可靠性和磁抗扰度，并具有性能和屏蔽选项
相关领域
磁阻随机存取存储器 CMOS芯片 材料科学 电磁屏蔽 电气工程 磁铁 产量（工程） 可靠性（半导体） 磁场 心烦意乱 光电子学 工程类 冶金 随机存取存储器 机械工程 计算机科学 功率（物理） 物理 计算机硬件 量子力学
网址
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993469
DOI
10.1109/iedm19573.2019.8993469 doi
其它 期刊：
作者：W. J. Gallagher; George Lee; Yi-Chun Shih; Chia-Fu Lee; Po-Hao Lee; et al
出版日期：2019-12-01
求助人
spark810 在 2024-11-08 03:01:25 发布自美国，悬赏 10 积分
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