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标题
Single-crystal field-effect transistors based on a fused-ring electron acceptor with high ambipolar mobilities
基于高双极迁移率熔融环电子受体的单晶场效应晶体管
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AI识别 10.1039/d0tc00587h doi
其它 Chengyi Xiao, Cheng Li, Feng Liu, Lei Zhang, Weiwei Li
In this study, we successfully obtained the single crystal of a well-known fused-ring electron acceptor Y6 and realized high ambipolar charge transports in single-crystal organic field-effect transistors (SC-OFETs). These were achieved by growing the single crystal of Y6via a simple solvent evaporation method and then using a “gold trips sticking” technique. We found that in the single crystal structure Y6 exhibited two isomers with a chiral symmetry (M- or P-enantiomer), which were responsible for the two-dimensional porous networks. The hierarchical structures could be favorable for charge transport along π–π stacking directions, as confirmed by SC-OFETs: high ambipolar mobilities with a hole mobility of 0.84 cm2 V−1 s−1 and an electron mobility of 1.94 cm2 V−1 s−1 were obtained. This could be further used as phototransistors with a high responsivity of 1.2 × 103 A W−1 and a photosensitivity of 2.1 × 104.
求助人
周嘉欣 在 2024-11-09 11:12:54 发布自上海,悬赏 10 积分
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