| 标题 |
 Degradation Evaluation and Defects Analysis for 1.2-kV Planar-Gate SiC MOSFETs Under Repetitive Surge Current Stress 1.2 kV平面栅SiC MOSFET在重复浪涌电流应力下的退化评估和缺陷分析
相关领域
电气工程
击穿电压
碳化硅
材料科学
物理
电压
工程类
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Dezhi Ma; Zhiyuan He; Yuan Chen; Yijun Shi; Jian Wang; et al 出版日期：2023-10-17 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
杳鸢
渔舟唱晚
Yifan2024
嗯哼
pluto
方羽
无名老大
tuanheqi
cocolu
模糊中正
Copper00
Candice
爱静静
sissiarno
cdercder
HEIKU
peili
嘉心糖
lee
Tasker-X
皖公网安备34019202002308
