| 标题 |
 MBE-Regrown Ohmics in InAlN HEMTs With a Regrowth Interface Resistance of 0.05 $\Omega\cdot\hbox{mm}$ InAlN HEMT中的MBE再生欧姆，再生界面电阻为0.05$\Omega\cdot\hbox{mm}$
相关领域
欧米茄
高电子迁移率晶体管
物理
材料科学
立体化学
结晶学
晶体管
化学
量子力学
电压
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Jia Guo; Guowang Li; Faiza Faria; Yu Cao; Ronghua Wang; et al 出版日期：2012-03-09 |
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