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 The Optimization and Analysis of a Triple-Fin Heterostructure-on-Insulator Fin Field-Effect Transistor with a Stacked High-k Configuration and 10 nm Channel Length 10 nm沟道长度堆叠高k结构绝缘体上三鳍异质结构场效应晶体管的优化与分析
相关领域
材料科学
光电子学
排水诱导屏障降低
电介质
晶体管
绝缘体上的硅
栅极电介质
栅氧化层
MOSFET
鳍
泄漏（经济）
阈下斜率
场效应晶体管
硅
阈下传导
电气工程
高-κ电介质
电压
工程类
复合材料
经济
宏观经济学
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| 其它 |
期刊：Nanomaterials 作者：Priyanka Saha; Rudra Sankar Dhar; Swagat Nanda; Kuleen Kumar; Moath Alathbah 出版日期：2023-11-23 |
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