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 43.2: Parasitic Capacitance Model for BGTC TFTs and Verification Using C‐V Measurements from Devices with Various Channel Dimensions 43.2：BGTC TFT的寄生电容模型和使用不同沟道尺寸器件的C-V测量进行验证
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期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 作者：Jose E. Mendez 出版日期：2023-04-01 |
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