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Effect of Surface Quality on Overgrowth of Highly Strained GaInAs/GaAs Quantum Wells and Improvement by a Strained Buffer Layer
表面质量对高应变GaInAs/GaAs量子阱过度生长的影响及应变缓冲层的改善
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:D. Schlenker; Zhong Pan; Tomoyuki Miyamoto; Fumio Koyama; Kenichi Iga 出版日期:1999-09-01 |
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