Advanced Preclean for Integration of PECVD SiOCH (k=2.5) Dielectrics with Copper Metallization Beyond 45nm Technology

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标题	Advanced Preclean for Integration of PECVD SiOCH (k=2.5) Dielectrics with Copper Metallization Beyond 45nm Technology 用于集成PECVD SiOCH(k=2.5)电介质与超过45nm技术的铜金属化的高级预清洗相关领域生产线后端等离子体增强化学气相沉积材料科学电介质可靠性（半导体）电容光电子学铜降级（电信）低介电常数金属化沉积（地质）电子工程工程物理化学气相沉积金属冶金工程类化学电极古生物学功率（物理）沉积物生物物理物理化学量子力学
网址	https://ieeexplore.ieee.org/document/1648644
DOI	10.1109/IITC.2006.1648644 doi
求助人	Jackcaosky 在 2024-10-09 09:29:19 发布自四川，悬赏 10 积分
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