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标题
Engineering of impact ionization characteristics in In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As superlattice avalanche photodiodes on InP substrate
InP衬底In0.53Ga 0.47 As/Al0.48In0.52 As超晶格雪崩光电二极管冲击电离特性的工程研究
相关领域
雪崩光电二极管 APDS 超晶格 撞击电离 电离 散射 基质（水族馆） 材料科学 光电子学 砷化铟镓 砷化镓 化学 光学 物理 离子 探测器 地质学 有机化学 海洋学
网址
https://www.nature.com/articles/s41598-020-73810-w.pdf
AI链接 nature.com nature.com nih.gov nih.govdoi.org
DOI
10.1038/s41598-020-73810-w doi
其它 期刊：Scientific Reports
作者：Seunghyun Lee; M. Winslow; C. H. Grein; S. H. Kodati; Andrew H. Jones; et al
出版日期：2020-10-07
求助人
和平发展 在 2025-03-10 10:44:52 发布自湖北，悬赏 10 积分
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