Monolithically Integrated Power Converter based on Etching-Free p-GaN HEMTs by Hydrogen Plasma Treatment Technology

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标题	Monolithically Integrated Power Converter based on Etching-Free p-GaN HEMTs by Hydrogen Plasma Treatment Technology 基于氢等离子体处理无刻蚀p-GaN HEMTs的单片集成功率变换器
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	Ang Li, Fan Li, et al. Monolithically Integrated Power Converter based on Etching-Free p-GaN HEMTs by Hydrogen Plasma Treatment Technology. Proceedings of the 36st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs June 2 - June 6, 2024, Bremen, Germany.
求助人	官高一品在 2024-05-14 10:38:04 发布自山东，悬赏 10 积分
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