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 Research on a High-Threshold-Voltage AlGaN/GaN HEMT with P-GaN Cap and Recessed Gate in Combination with Graded AlGaN Barrier Layer 高阈值电压AlGaN/GaN HEMT的P-GaN盖和凹栅结合梯度AlGaN势垒层的研究
相关领域
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期刊：Journal of electronic materials 作者：Zhichao Chen; Li-E Cai; Kai Niu; Chao-Zhi Xu; Haifeng Lin; et al 出版日期：2024-03-05 |
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