| 标题 |
 5.1 Å EOT and low leakage TiN/Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2/Al2O3/TiN heterostructure for DRAM capacitor DRAM电容器用5.1ëEOT和低泄漏TiN/Al2O3/Hf0.5Zr 0.5 O2/Al2O3/TiN异质结构
相关领域
材料科学
电介质
锡
电容器
德拉姆
高-κ电介质
泄漏（经济）
光电子学
等效氧化层厚度
异质结
动态随机存取存储器
介电常数
电子工程
电气工程
晶体管
栅氧化层
电压
冶金
半导体存储器
经济
宏观经济学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied physics letters 作者：Zhijun Luo; Xinzhe Du; Hui Gao; Yue Lin; Wensheng Yan; et al 出版日期：2023-05-09 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
彭于彦祖
杳鸢
pcr163
yar
HEIKU
寻道图强
Ganlou
爱静静
咻咻
带头大哥
Liou
模糊中正
Leonardi
萧水白
tuanheqi
平常的毛豆
shinysparrow
cannon8
坚强的广山
秀丽烨霖
皖公网安备34019202002308
